硅晶圓作為半導(dǎo)體的基本材料，在保管存放過(guò)程中對(duì)環(huán)境的要求有著極為嚴(yán)格的要求。

硅晶圓存放環(huán)境條件一般來(lái)說(shuō)有以下幾點(diǎn)要求：

一.濕度

    硅晶圓襯底是一種對(duì)濕度極其敏感的材料，過(guò)高的濕度將會(huì)導(dǎo)致晶圓表面光潔度和氧化層品質(zhì)，而過(guò)低的

    濕度則極其容易產(chǎn)生靜電放電，從而導(dǎo)致硅晶圓損壞。

    一般來(lái)說(shuō)硅晶圓需要存放在環(huán)境濕度穩(wěn)定在30%RH~50%RH的環(huán)境中。

二.溫度

    對(duì)于硅晶圓來(lái)說(shuō)，溫度一般不存在硬性條件要求，但也不宜存放在溫度過(guò)于極端的環(huán)境。

    一般來(lái)說(shuō)20~24℃的室溫存放即可。

三.光照

    硅晶圓在存放過(guò)程中應(yīng)采用間接光照的形式進(jìn)行，需要避免直接暴露在陽(yáng)光和熒光等下。

四.防靜電

    硅晶圓極易因靜電放電而損壞，在存放硅晶圓過(guò)程中一般會(huì)采取一定的防靜電手段。

五.空氣環(huán)境

    硅晶圓加工屬于超高精度的精密加工，因而在存放過(guò)程中需要保障存放環(huán)境的空氣潔凈度，以減小

    后續(xù)生產(chǎn)過(guò)程中的清洗難度。